damsxx a écrit :
sauf que le rad du bas nne sera exploité qu'a moitié ( 1 passe sur 1 moitié latérale et non pas 2 passes sur l'ensemble du rad)
idem pour celui du haut 1 entrée - 2 sorties = le debit est limité par la seule entrée
puis de toute façon le débit est le meme dans tout le ciruit et est limité par la pièce la plus restrictive donc .... si tu veux pas etre limité par les WB mofsets et chipset ne les met pas =
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Je me suis mal expliqué.
Mon but n'est pas de multiplier le débit par 2 (je suis bien conscient du bridage imposé par le tube unique à l'entrée).
Le seul but des sorties doubles est de mettre une partie du débit sur les mosfet, et une autre sur le cpu/cg, sans que l'un n'affecte l'autre (afin de pouvoir profiter de tout le débit du tube à l'entrée)..
En gros, ça s'assimile à une résultante de résistances électriques, si on compare l'intensité au débit.
Si j'ai des résistances en série (et donc des restrictions en série), je serai bridé par le matériel le plus restrictif de la série.
Par contre, ce que je veux faire, c'est les mettre en parallèle.
Donc, admettons que le débit à l'entrée du rad soit égal à x, j'aurai grossièrement 0,85x dans un tube et 0.15x dans l'autre du fait des rapports de restriction entre les deux parties du circuit.
Le flux se poursuivra en parallèle jusqu'au premier réservoir qui permettra de recevoir les deux tubes et d'en sortir un seul (avec la somme des débits véhiculés par les deux tubes qui est égale au débit du premier tube à l'entrée du rad).
Je sais que le débit sera limité par la pièce la plus restrictive, sauf qu'avec cet agencement la pièce la plus restrictive est plutôt la CG (500 L/h) que les MOSFET (100 L/h).
Regarde ce schéma
EDIT: j'ai oublié de préciser que rien n'est définitif, et que je n'ai pas encore pris ma décision finale pour l'agencement, donc à voir, toutes les modifications sont possibles.
Message édité par 91NB le 16-11-2012 à 10:56:14
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